半导体分立器件包括哪些类别?
半导体分立器件主要包括半导体二极管、三极管、三极管阵列、MOS场效应管、结型场效应管、光电耦合器、可控硅等各种两端和三端器件。
国军标为什么要规定采用脉冲测试方法?
在分立器件中有一些参数的测试时需要向被测器件施加较大的电流和功率,例如二极管的正向压降VF,三极管的饱和压降VCES、VBES,放大倍数HFE等,这些参数的测试(特别是功率器件)由于功率的施加,将导致器件的附加温升,进而造成器件参数的变化和漂移。为避免这一问题的发生,美军标和国军标都规定了脉冲测试的方法和规范。规定采用小占空比(2%)和窄脉冲(300uS)完成相关参数的测试。采用脉冲测试法可以真实反映器件在不同环境温度下的特性,特别是对使用环境较为恶劣的军用器件,更需采用脉冲法测试。因此国外的半导体分立器件测试系统几乎都采用脉冲法进行测试。